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作者 標題 [情報] 三星搶先業界量產第2代 1y 奈米製程 DRAM
時間 Wed Dec 20 22:05:50 2017
消息來源：TechNews
完整標題：三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM
內文：
https://imgur.com/xsaYkbF
![[圖]](https://i.imgur.com/xsaYkbF.jpg)
南韓科技大廠三星 20 日宣布，已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星
表示，該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新
的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸
。
表示，該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新
的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸
。
三星進一步指出，透過開發 DRAM 的電路設計和製程技術創新，三星已經突破了 DRAM 擴
展性的主要障礙。透過第二代 1y 奈米製程生產的 DRAM 快速成長，三星將更加積極地擴
展整體的 1y 奈米製程程的 DRAM 產品產能，以因應強勁的市場需求，並繼續加強三星的
業務競爭力。
展性的主要障礙。透過第二代 1y 奈米製程生產的 DRAM 快速成長，三星將更加積極地擴
展整體的 1y 奈米製程程的 DRAM 產品產能，以因應強勁的市場需求，並繼續加強三星的
業務競爭力。
https://imgur.com/8gQytez
![[圖]](https://i.imgur.com/8gQytez.jpg)
據了解，三星的第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4，比第一代 1y 奈米製程的 8Gb
DDR4 DRAM 在生產效率上提高了近 30%。此外，由於採用了先進的專有電路設計技術，新
的 8Gb DDR4 的性能水準和功耗分別提高了約 10% 和 15%。另外，新的 8Gb DDR4 每個
引腳可以以每秒 3,600 Mbps 的速度運行，比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 的
3,200 Mbps 速度，提升了超過 10%。
DDR4 DRAM 在生產效率上提高了近 30%。此外，由於採用了先進的專有電路設計技術，新
的 8Gb DDR4 的性能水準和功耗分別提高了約 10% 和 15%。另外，新的 8Gb DDR4 每個
引腳可以以每秒 3,600 Mbps 的速度運行，比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 的
3,200 Mbps 速度，提升了超過 10%。
三星進一步表示，為了達成這些成績，三星應用了新技術，包括了使用高靈敏度的細胞數
據傳感系統和漸進的 「空氣間隔」 方案，但是並沒有使用 EUV 技術。而在第二代 1y
奈米製程所生產的 8Gb DDR4 的每個單元中，新設計的數據感測系統可以更準確地確定每
個單元中儲存的數據，進而顯著提高電路整合度和製造效率。
https://imgur.com/5rICmHy
![[圖]](https://i.imgur.com/5rICmHy.jpg)
目前在全球 DRAM 三大廠中，包括三星及美光都在 2016 年陸續導入 10 奈米等級製程，
而 SK 海力士則是到 2017 年中之後才開始逐步進入 10 奈米等級製程。不過，根據之前
所傳出的消息，三星與美光兩家公司在導入 10 奈米等級製程的過程並不順利，都先後出
現過相關產品有瑕疵而召回的情況，而這也是自 2016 年中以來 DRAM 市場一直供不應求
、價格節節攀升的原因之一。如今，在三星第二代 10 奈米等級製程的 DRAM 產品量產下
，是否能逐步滿足市場的需求，業界人士都在密切關注著。
而 SK 海力士則是到 2017 年中之後才開始逐步進入 10 奈米等級製程。不過，根據之前
所傳出的消息，三星與美光兩家公司在導入 10 奈米等級製程的過程並不順利，都先後出
現過相關產品有瑕疵而召回的情況，而這也是自 2016 年中以來 DRAM 市場一直供不應求
、價格節節攀升的原因之一。如今，在三星第二代 10 奈米等級製程的 DRAM 產品量產下
，是否能逐步滿足市場的需求，業界人士都在密切關注著。
(首圖來源:三星官網)
來源網址：https://goo.gl/jD7sMX
三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM | TechNews 科技新報
![[圖]]()
南韓科技大廠三星 20 日宣布，已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星表示，該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸。
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![[圖]](https://img.technews.tw/wp-content/uploads/2017/12/20161648/1y-nm-8Gb-DDR4_02-e1513757881642.jpg)
備註：
Samsung NewsRoom：https://goo.gl/2oUQye
Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM – Samsung Global Newsroom
![[圖]]()
Samsung Now Mass Producing Industry’s First 2nd-generation, 10-Nanometer Class DRAM ...
![[圖]](https://img.global.news.samsung.com/global/wp-content/uploads/2017/12/1st-2nd-Gen-10nm-DRAM_thumb704.jpg)
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推 : 1y是什麼意思0.0？1F 12/20 22:09
推 : 持續漲價2F 12/20 22:15
→ : 1x nm的意思吧3F 12/20 22:17
推 : dram跟sram不太一樣 好像跟製程比較沒太大關係4F 12/20 22:18
→ : 再漲一年的意思5F 12/20 22:29
推 : c52是指哪方面? 功耗有差吧6F 12/20 22:29
→ : c52還不快開屁屁瘩出來玩7F 12/20 22:31
推 : 產能開不出來不就是每家都轉1x nm 結果每家都卡良率8F 12/20 22:33
推 : dram 功耗？？9F 12/20 22:37
→ : dram比較在意的是密度吧 要CD
→ : pipida還沒到門檻啊 之後把
→ : dram比較在意的是密度吧 要CD
→ : pipida還沒到門檻啊 之後把
推 : 1x=>1y=>1z 基本上就是1xnm的第幾代12F 12/20 23:17
→ : SRAM的電晶體比DRAM多13F 12/20 23:26
推 : 密度有差啊 只是DRAM除非你能一顆多塞一倍 不然哪14F 12/21 00:11
→ : 來的差別？
→ : 來的差別？
推 : 可是你縮製程電晶體放電速度變快 你要搞裡面的電容16F 12/21 00:33
→ : 在搞重新寫入的記憶區塊都會比較難吧
→ : 在搞重新寫入的記憶區塊都會比較難吧
推 : 是沒錯 但是那跟不吃製程沒關係啊...18F 12/21 00:38
推 : 線寬變小放電不就變快 dram有一側是接地耶19F 12/21 00:43
推 : 沒記錯的話簡單來說DRAM裡面是電容 SRAM是正反器20F 12/21 00:47
推 : 遇到的困難點不同的問題而已啊...密度要高還是只能21F 12/21 01:19
推 : 2三星詐騙集團22F 12/21 02:46
噓 : 成本更省，售價更高。23F 12/21 08:23
推 : 1x 17-19nm;1y 15nm;1z 11-14nm24F 12/21 09:54
→ : 感謝提供資訊25F 12/21 10:17
推 : 翻譯: 新東西效能更好，該漲價囉～26F 12/21 10:22
推 : 定義是錯的 各家對10nm class的定義其實都不太一樣27F 12/21 10:51
推 : 度的 只看pitch size28F 12/21 12:47
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