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※ 本文轉寄自 ptt.cc 更新時間: 2021-03-14 03:07:22
看板 Stock
作者 madeinheaven ()
標題 [新聞] 三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片,預計
時間 Sat Mar 13 18:38:26 2021




原文標題:
三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片,預計2022年用在3nm工藝上
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結:
https://www.expreview.com/78337.html
三星已用GAAFET技术打造出SRAM芯片,预计2022年用在3nm工艺上 - 超能网 超能网(Expreview)专注于为主流科技产品提供全新视角的资讯,专注于100%高价值原创内容的创造,专注于最真实的体验式报道。 ...

 
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間:
2021-3-13 09:54
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)


原文內容:

三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝,預
計會在2022年正式推出這種工藝,目前關於此工藝的消息甚少,tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上,三星公佈了3GAE工藝的一些細節。


https://i.imgur.com/s19YA4c.jpg
[圖]

GAAFET其實有兩種,一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET,另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區,納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計,一般而言都用
GAAFET來描述兩者。


https://i.imgur.com/exfnXbE.jpg
[圖]

GAAFET其實早在1988年就出現了,這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧,以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能,而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時,工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下,晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍,精度不是很好,有時效率很低。


https://i.imgur.com/oPKVA8F.jpg
[圖]

三星表示,與7LPP工藝相比,3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%,同樣頻率下能讓
功耗降低50%,晶體管密度最高可提高80%。

https://i.imgur.com/SzDihmg.jpg
[圖]

三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片,這個256Gb芯片的面積是56mm2,與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV,可見MBCFET確實能讓降低功耗。

https://i.imgur.com/oB7WDEK.jpg
[圖]

SRAM其實是比較簡單的芯片,目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力,但
相信給些時間三星就能解決這問題,預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。




心得/評論:                             ※必需填寫滿20字

三星已經做出使用MBCFET技術的SRAM

預計3nm MBCFET製程會在2022年投產

台積電在3nm則是繼續使用FinFET也是在2022年投產

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.24.109.151 (臺灣)
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rayccccc    : 加油ㄛ1F 03/13 18:40
godog       : 心得懶的寫 直接抄內文2F 03/13 18:42
我改一下
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:45:08
tnleetony   : 心得呵呵3F 03/13 18:44
Rin5566     : 丸子4F 03/13 18:44
deepbluer   : GG 885F 03/13 18:46
※ 編輯: madeinheaven (114.24.109.151 臺灣), 03/13/2021 18:46:48
Cliffx      : 台積電完了 三星超車6F 03/13 18:46
Merkle      : DRAM做出來再叫我7F 03/13 18:48
gomi        : 去年年初就宣佈了 今年5nm還是做不好8F 03/13 18:50
cckkyle     : 我大gg FinFET 就可以做3nm了9F 03/13 18:52
idernest    : 台積殺手10F 03/13 18:53
transfight  : QQ GAA難度超大……良率真的不好看11F 03/13 18:55
SteamTank   : 跟GG宣稱的7nm->3nm幅度差不多,用FinFET就夠打12F 03/13 18:55
transfight  : QQ FinFET優點是良率高成本又低13F 03/13 18:55
transfight  : QQFinFET現有製程道數會比較少…Run貨快
transfight  : QQ 但是GAA是未來的趨勢……
tsukirit    : 搞個超耗電888 5奈米都做不好16F 03/13 18:59
vbhero      : 台積7奈米都屌打三星3奈米17F 03/13 19:04
nhpss89007  : yield?18F 03/13 19:04
kissa0924307: 888表示:先讓我降溫吧19F 03/13 19:05
Jungggg     : 完了 真的被gn老蘇說中了20F 03/13 19:06
tcman02     : 等於gg幾奈米?21F 03/13 19:12
abs7862604  : 遇到一般的怪就開了無雙22F 03/13 19:17
jior        : 產啦,那次不產的23F 03/13 19:20
clusis      : 台積電有疑慮了24F 03/13 19:23
yuen1029    : 韓國三星喜歡用半成品搶先發表 然後再讓別人重新定25F 03/13 19:36
yuen1029    : 義
abcgo       : 記憶體跟邏輯晶片的差距到底有多大呢?27F 03/13 19:40
m9103232    : 完了,還不趕快把GG賣掉28F 03/13 19:46
cchh179     : 好像有搞頭29F 03/13 19:53
sm3489      : GG丸子,怕爆30F 03/13 19:55
cookie1216  : 三星那次不是彎道超車XD31F 03/13 20:03
nangle      : 原良率問題待改善的情況下微縮製程,等於預告爆炸...32F 03/13 20:03
nangle      : 可能又要賣很便宜來搶市場了,尤其是這個成本更高
nangle      : 只能說三星為了超前不賭命,賭徒心態,爆炸預定
nangle      : 如果你開無人無車6線道會撞路燈,敢開單行道?
nangle      : 三星這種行為根本三寶
Jerry469 
Jerry469    : 只提SRAM 看來yield 沒救37F 03/13 20:12
Jerry469    : gg續噴
Jerry469    : [url=https://imgur.com/G7ekPOy]https://i.imgur.com/G7ekPOy.jpg[/url]
Jerry469    : w底確立 月底900見
saygogo     : *** 也算強了  到現在還可以持續一代的落後差距41F 03/13 20:21
saygogo     : 不过应該會死在3nm GAA 變成兩代差距
saygogo     : 2022 GG 3nm 量產 2023放量 ***可能還在哭良率
kuan50118   : 良率是重點 你良率不高誰要用...44F 03/13 20:33
rx78123456  : 三星現在只剩dram45F 03/13 20:37
Atomry777   : 彎道翻車46F 03/13 20:40
Homedoni    : DRAM還在用planar呢 cell瓶頸才是重點47F 03/13 20:44
pf775       : 還不是被台積電屌打48F 03/13 20:47
ajkofqq     : 怕豹 快賣下去400 :)49F 03/13 20:48
Homedoni    : 有***產業才健康啦 台積才不會太寂寞50F 03/13 20:49
amaranth5566: GG從來不放話51F 03/13 20:49
s800525     : 強推新技術微縮,看來漏電+良率爆炸可預期了52F 03/13 21:19
kuma660224  : 三星是落後者 所以需賭不成熟技術53F 03/13 21:20
kuma660224  : 否則沒機會跟GG競爭
kuma660224  : GG用DUV做出7nm 三星賭EUV
vbhero      : 台積落後的時候有賭嗎?56F 03/13 21:21
kuma660224  : GG也有GAA 但技術領先夠多 不用冒險57F 03/13 21:22
kuma660224  : Finfet就能搞定那密度 還更便宜
s800525     : GG 20nm好像也是爆炸過,強推的下場都很慘的59F 03/13 21:24
Homedoni    : FinFET爐火純青 VS 良率爆炸GAA60F 03/13 21:25
s800525     : GAA完全新的東西,良率不知道(應該很慘烈)、成本高61F 03/13 21:27
s800525     : ,把這種東西拿來賭真的很敢,跟二戰日軍那種一億玉
s800525     : 碎差不多XD
stosto      : Gaa 現在只是還不需要拿來量產而已,等到gaa量產64F 03/13 21:28
stosto      : 後...三星不知道又要做什麼彎道超車了
Marginal    : 難怪GG最近爬不太起來  原來是這樣66F 03/13 21:29
s800525     : GG最近軟跟這一點關係都沒有=_>=67F 03/13 21:33
s800525     : 跟美科技股回檔,資金輪轉關係還比較大,剛還看一下
s800525     : 是不是在股版....
toy986      : 一堆台積利空新聞 穩了70F 03/13 21:44
speculator  : 三*真的強又有決心,資源 可怕71F 03/13 21:59
mirce       : 嗯哼 三星終於做出能匹敵台積電5奈米 2022投產72F 03/13 22:05
notime      : 丸惹73F 03/13 22:08
david9066011: GG 7奈米屌打三星5奈米 這次3奈米要屌打幾奈米呢74F 03/13 22:21
kamichu     : 想也知道產量出不來 技術宣示 炒股比較好賺75F 03/13 22:23
semicoma    : 聽說三星用了這新技術 那麼設計端也要改技術 因此除76F 03/13 23:15
semicoma    : 非明顯比GG繼續用Fin有優勢 不然各設計廠未必有意願
gabkwd      : 語畢,哄堂大笑。78F 03/13 23:25
michelin4x4 : 這個除非他驗證性風險量產sram,良率超過8成。這才79F 03/13 23:25
michelin4x4 : 是有機會讓ic設計業去設計
rickylin    : 看來五奈米做不好直接放棄了81F 03/13 23:28
Sopi0318    : GG N3也繼續用fin 3奈米以下才會用gaa82F 03/13 23:28
kuma660224  : 三星也是被逼得選沒辦法的辦法83F 03/13 23:32
kuma660224  : 2020-2021的GG5nm密度良率贏太多
kuma660224  : 三星繼續拼FINFET也快看不到車尾燈
kuma660224  : 多數廠商能選GG本來就很難不選
kuma660224  : 所以想靠良率沒把握新技術拼一下密度
yesheyman   : GG也有改良版2nm是用FinFET做 GG向來都是穩扎穩打88F 03/13 23:37
yesheyman   : 沒人敢用第一代的GAA的 三星自己也不敢的
karta018    : 一下中芯超車,一下三星超車,GG怎還沒跌回20090F 03/13 23:44
s800525     : GG沿用FINFET到3nm一部分是讓設計節省成本,三星91F 03/13 23:45
s800525     : 2022就要硬上GAA要看有多少廠商願意吃下來,目前好
s800525     : 像就省錢一哥高通有在用三星最新的而已?
s800525     : 可是實驗性那麼高的GAA高通敢賭?應該很多不敢把重
s800525     : 要的壓這上面,何況性能目前看起來跟GG5nm差不多而
s800525     : 已,兩年後GG5nm產量不知道多多少了
ca1123      : 把台積電殺到400呀,哈哈97F 03/14 00:08
southpeace  : 那次不贏98F 03/14 00:35

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