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看板 uefacool
作者 uefangsmith (唉呦!不錯哦~)
標題 [Tech] MRAM
時間 2018-04-15 Sun. 14:07:12


https://www.eettaiwan.com/news/artic...il&utm_campaign=2018-04-02

磁阻隨機存取記憶體(MRAM

隨著製程微縮超過14nm,預計將會發生變化,因為NOR無法再使用,而SRAM也開始變得越來越大。」
Handy表示,eVaderis支援低功耗MRAM的低功耗MCU聽起來與電池供電設備非常相稱。「MRAM比快閃記憶體更能持久儲存資料。然而,無論是NAND還是NOR,快閃記憶體的寫入都會長時間耗電,「強制預擦除更是耗電。」
他認為,MRAM和其他新興非揮發性技術的特點之一在於編程人員能夠靈活地使用記憶體。「他們不再需要將程式碼限制在NOR的大小或限制資料只能在SRAM的大小,」Handy說:「這不僅簡化了設計,而且透過讓同樣基於MRAM的MCU用於多種應用中,可為某些客戶節省成本。」

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※ 作者: uefangsmith 時間: 2018-04-15 14:07:12
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